Las unidades SSD 850 EVO de Samsung el TBW de la anterior generación 840 EVO. Proporcionan un rendimiento constante mejorado de hasta el 30% a pesar de la degradación, demostrando ser una de las unidades SSD más fiables del mercado.
Características:
Arquitectura 3D V-NAND: La exclusiva e innovadora arquitectura Samsung 3D V-NAND supone una revolución en el mundo de las memorias flash en términos de densidad, rendimiento y resistencia. Las memorias 3D V-NAND se fabrican apilando verticalmente 32 capas de celdas. Así, se consigue mayor densidad y rendimiento con un menor consumo energético.
Sea más productivo gracias a TurboWrite: La tecnología TurboWrite ofrece una óptima experiencia de usuario gracias a su gran rendimiento de lectura/escritura. La unidad SSD 850 EVO de Samsung proporciona una velocidad secuencial de lectura de 540 MB/s y de escritura de 520 MB/s, las más altas dentro de su categoría. Además, mejorará el rendimiento general en todos los QD de su ordenador. Disfrute de una experiencia de usuario un 10% más satisfactoria que con la anterior SSD 840 EVO, así como un 1.9x más rápida que en los anteriores modelos de 120 / 250 GB.
Potencia y rendimiento.: El software Magician de esta unidad SSD ofrece el doble de rendimiento en el procesado de datos al utilizar la memoria DRAM libre del ordenador como memoria caché. El nuevo software de Samsung es capaz de mejorar el uso de memoria máximo en el modo de RAPID, desde 1 GB (lo que ofrecía la versión 840 EVO), hasta los 4 GB que ofrece el modelo 850 EVO, con solo implementar 16 GB de DRAM. Además, disfrutará del doble de potencia en cualquier QD aleatorio.
Trabaje durante más tiempo: Trabaje en su portátil durante mucho más tiempo. La unidad SSD 850 EVO es un 25% más eficiente que el modelo 840 EVO anterior durante el proceso de escritura gracias a que la nueva memoria flash 3D V-NAND consume la mitad de energía que la anterior memoria Planar 2D NAND.
Especificaciones Samsung 850 EVO:
Características
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
Factor de forma de disco SSD: 2.5"
SDD, capacidad: 500 GB
Interfaz: Serial ATA III
Tipo de memoria: MLC
Velocidad de transferencia de datos: 6 Gbit/s
Velocidad de lectura: 540 MB/s
Velocidad de escritura: 520 MB/s
Lectura aleatoria (4KB): 98000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB): 90000 IOPS
Tamaño de unidad de almacenamiento de búfer: 512 MB
Soporte S.M.A.R.T.: Si
Soporte TRIM: Si
Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
Sistema operativo Windows soportado: Si
Control de energía
Consumo de energía (lectura): 0,1 W
Consumo de energía (escritura): 0,1 W
Consumo de energía (espera): 0,045 W
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje: -40 - 85 °C
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento: 5 - 95%
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje: 5 - 95%
